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J-GLOBAL ID：200903038853067710

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 久保田 正文 ,  林 重徳 ,  山中 通成
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998024224
Publication number (International publication number)：1999224796
Application date： Feb. 05, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電荷分布の均一性をより向上させてエッチング形状の異常及びマイクロローディング効果の発生を一層低減させると共に、電荷の蓄積に伴うゲート絶縁膜の劣化又は破壊を防止する。【解決手段】 チャンバー10の上には誘電体板11を介して渦巻き状電極12が設けられており、該渦巻き状電極12には高周波パルス電源13Aからプラズマ発生用の高周波パルス電力が供給される。チャンバー10の底部には試料台14が設けられ、該試料台14の上には被エッチング試料15が載置されている。試料台14の下側にはバイアス用のDCパルス電源17が設けられており、試料台14とDCパルス電源17とはストリップ線路16を介して接続されている。高周波パルス電源13Aから高周波電力が供給されていない期間に、DCパルス電源17から試料台14に正のバイアス電圧が印加される。

Claim (excerpt)：

被処理基板を保持する試料台が設けられていると共に反応性ガスを導入するガス導入手段を有する真空チャンバーと、前記真空チャンバーに、所定レベルの高周波電力を間欠的に繰り返し供給するか又は高レベル及び低レベルの高周波電力を交互に繰り返し供給することにより、前記真空チャンバーに前記反応性ガスからなるプラズマを発生させる高周波電力供給手段と、前記高周波電力供給手段から前記所定レベルの高周波電力が供給されていない期間又は前記高周波電力供給手段から前記低レベルの高周波電力が供給されている期間に、正のバイアス電圧を前記試料台に印加するバイアス電圧供給手段とを備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7)：

H05H 1/46 A ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B