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J-GLOBAL ID:200903038856721208
電荷結合素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 敏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992029167
Publication number (International publication number):1993226377
Application date: Feb. 17, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 チップサイズの増大を回避しつつ、動作の高速化が達成され、しかも、信頼性の高い電荷結合素子の提供【構成】 CCD電荷転送チャネル1上に第1の転送電極2が所定の間隔をおいて複数設けられ、これらの第1の転送電極2間に複数の第2の電極3が設けられている。転送電極2はポリシリコン膜から構成され、転送電極3は、ポリシリコン膜3aと抵抗が低い高融点金属シリサイド膜3bとから構成されている。電荷転送方向に沿った一対づつの第1,第2の転送電極2,3が、交互に2相のクロックΦ1 ,Φ2 端子に金属配線4,5により接続され、これらを接続するコンタクト部20,21が電極間に跨がるようにして形成されている。各コンタクト部20,21は、電荷転送方向に対して直交する方向に長手軸が位置するコンタクト孔20a,21aと、孔20a,21aに充填された金属などの低抵抗材料20b,21bとから構成されている。
Claim (excerpt):
層状に形成される第1および第2の転送電極を備え、2相クロック信号で駆動される電荷結合素子において、前記第2の転送電極は、その全部または一部が前記第1の転送電極よりも低抵抗材料で形成されるとともに、前記2相クロック信号のうち、同じクロック信号で駆動される隣接配置された一対の前記第1および第2の転送電極間のみを接続するコンタクト部を形成し、このコンタクト部を、前記転送電極の電荷転送方向に対して直交する方向に延びるコンタクト孔と、このコンタクト孔に充填された金属などの低抵抗材料とで構成したことを特徴とする電荷結合素子。
IPC (2):
H01L 21/339
, H01L 29/796
Patent cited by the Patent:
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