Pat

J-GLOBAL ID：200903038858414256

モジュール型半導体装置

Inventor： 石渡 裕 ,  山本 敦史 ,  松本 寿彰 ,  齋藤 涼夫 ,  吉野 輝雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003193800
Publication number (International publication number)：2005032833
Application date： Jul. 08, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】炭化珪素製半導体素子を300°C以上で稼動させても熱応力により接合部や絶縁基板が損傷しないモジュール型半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素製半導体素子3を接合する絶縁基板に、炭化珪素製半導体素子3と熱膨張率が近く、かつ、熱伝達率の高い窒化珪素(Si3N4)を用いた絶縁性セラミックス基板1を用いる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒化珪素を用いた絶縁性セラミックス基板と、 前記絶縁性セラミックス基板に金属層を介して接合された炭化珪素製半導体素子と、を有することを特徴とするモジュール型半導体装置。

IPC (6)：

H01L23/36 ,  H01L23/08 ,  H01L23/34 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (5)：

H01L23/36 C ,  H01L23/08 ,  H01L23/34 A ,  H01L23/36 M ,  H01L25/04 C

F-Term (6)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB14 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD14