固体撮像素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 矢澤清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006025874
Publication number (International publication number)：2007208052
Application date： Feb. 02, 2006
Publication date： Aug. 16, 2007
Summary：

【課題】表面p層を光電変換素子表面に設けた固体撮像素子における暗電流抑制とスミア抑制とを両立させる。【解決手段】表面に高濃度不純物拡散層36が形成された複数の光電変換素子34が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、半導体基板32の上に絶縁層40が積層された固体撮像素子30において、前記各光電変換素子の直上の絶縁層40と高濃度不純物層36との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層50を形成する。この結果、高濃度不純物拡散層36の不純物濃度を必要以上に濃くする必要なくなり、暗電流の抑制とスミアの抑制を両立させることが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面に高濃度不純物拡散層が形成された複数の光電変換素子が半導体基板表面部に二次元アレイ状に配列形成され、該半導体基板の上に絶縁層が積層された固体撮像素子において、前記各光電変換素子の直上の前記絶縁層と前記高濃度不純物拡散層との間の界面部分にそれぞれ不純物拡散抑制層を形成したことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L27/14 A , H01L27/14 B , H04N5/335 U

F-Term (26)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DA03 , 4M118DA20 , 4M118DA28 , 4M118EA01 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118GB02 , 4M118GC08 , 4M118GD04 , 5C024CX13 , 5C024CX32 , 5C024CY47 , 5C024DX01 , 5C024EX43 , 5C024EX52 , 5C024GX04 , 5C024GY01 , 5C024GY31 , 5C024HX01 , 5C024HX41

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

CCD固体撮像装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-226120 Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (5)

固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-287679 Applicant：日本電気株式会社
窒化ゲート酸化膜を有するCMOSイメジャーおよびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-527981 Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.
特開平2-168670

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