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J-GLOBAL ID:200903038883096447
放射線検出素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991335071
Publication number (International publication number):1993167057
Application date: Dec. 18, 1991
Publication date: Jul. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】 放射線検出素子を高感度、高解像度化する。【構成】 本発明によれば、放射線(X線)が入射されるとCdTe層で電子/正孔対が生成する。ここで、CdTe層にヘテロ接合されたCdS層は正孔阻止層であり、CdS層側がプラスとなるような直流バイアスが加えらている。したがって、CdTe層への外部からの電子、正孔の注入は上記のCdS層と電子阻止層により阻止され、一方で放射線による生成キャリアが検出される。
Claim (excerpt):
CdTeからなる放射線感応層と、この放射線感応層にヘテロ接合されたCdSからなる正孔阻止層と、この正孔阻止層との間で前記放射線感応層を挟むように当該放射線感応層上に設けられた電子阻止層とを備えることを特徴とする放射線検出素子。
IPC (4):
H01L 27/146
, G01T 1/16
, H01L 31/0264
, H01L 31/10
FI (3):
H01L 27/14 F
, H01L 31/08 L
, H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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特開昭62-020380
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特開昭53-113488
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