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J-GLOBAL ID：200903038894557853
誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997205030
Publication number (International publication number)：1999049567
Application date： Jul. 30, 1997
Publication date： Feb. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】DCバイアス印加下でも大きな比誘電率を示し、かつ静電容量の温度変化率が小さく、高周波領域においても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属元素としてPb、Mg、Nb、ZrおよびSnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚2μm以下の誘電体薄膜であって、金属元素酸化物のモル比による組成式を、(1-x-y)Pba (Mgb/3 Nb2/3 )O3・xPba ZrO3 ・yPba SnO3 と表した時、前記x、yが、図1における点A-B-C-D-E-Aで囲まれる範囲内であり、かつaおよびbが1≦a≦1.10、1≦b≦1.15を満足するものである。
Claim (excerpt)：
金属元素としてPb、Mg、Nb、ZrおよびSnを含むペロブスカイト型複合酸化物からなる膜厚2μm以下の誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモル比による組成式を(1-x-y)Pba (Mgb/3 Nb2/3 )O3 ・xPba ZrO3 ・yPba SnO3と表した時、前記x、yが図1における点A-B-C-D-E-Aで囲まれる領域の範囲内であり、かつ、前記aおよびbが1≦a≦1.101≦b≦1.15を満足することを特徴とする誘電体薄膜。
IPC (4)：
C04B 35/48
, H01B 3/00
, H01B 3/12 313
, H01G 4/12 415
C04B 35/48 D
, H01B 3/00 F
, H01B 3/12 313 Z
, H01G 4/12 415
