Pat

J-GLOBAL ID：200903038898685481

ドライエッチング方法

Inventor： 辰巳 哲也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992027498
Publication number (International publication number)：1993198534
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ガス組成の変更や処理チャンバ内への可動部材の導入等を行わずに、エッチング途中でラジカル生成量を制御し、下地選択性と異方性を改善する。【構成】 有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置の処理チャンバ4の内壁面にS(イオウ)カバー13を設け、外周側には複数の永久磁石14からなる交互多極磁場リングを配設する。このリングの内側ではマルチカスプ磁場が形成され、ECRプラズマPの壁面方向への拡散が抑制される。永久磁石14を位置Eに置けばECRプラズマPとSカバー13との接触面積が減少するのでS供給量が減り、位置Fに置けばS供給量が増大する。Si系材料層のオーバーエッチング時、またはポリサイド膜中の多結晶Si層のエッチング時等にこの接触面積を大とすると有効である。永久磁石14に代えて補助コイル17を使用しても良い。

Claim (excerpt)：

処理チャンバの内壁面の軸方向の少なくとも一部がイオウ系材料層により被覆されてなり、かつこのイオウ系材料層の被覆部位に対峙するごとく該処理チャンバの外周部に補助磁場形成手段が配設されてなるECRプラズマ装置を使用し、前記補助磁場形成手段の操作によりECRプラズマと前記イオウ系材料層との接触面積を変化させながら被エッチング基板上のシリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。