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J-GLOBAL ID：200903038913833212

パターン形成方法

Inventor：
伊東 敏雄

About 伊東 敏雄


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995011473
Publication number (International publication number)：1996203876
Application date： Jan. 27, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 デバイスの信頼性を向上させ、製造工程を簡単にする。【構成】 シリコン基板51上にAl配線52を形成した後、CVD法により、PE-TEOS膜53を形成する。感光性樹脂組成物である感光性SOG膜54を回転塗布する。SOG膜54をKrFエキシマステッパで光照射し、ベーキングする。次に、現像、リンスして、ポストペーキングて、ホールパターン55を形成する。CVD法により、PE-TEOS膜58を形成する。全面をPE-TEOS膜56を異方性エッチングによりエッチバックして、ビヤホール58を開口して、Al配線52を露出する。CVDより、バリアメタル層として、TiN59を形成する。バイアススパッタ法により、膜厚0.6μmのAl電極60を形成する。
Claim (excerpt)：
素子領域と電極配線とが形成された基板上にSOG膜を形成成する工程と、前記SOG膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記SOG膜にホールを開口する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記SOG膜の側壁を覆うように、全面に絶縁膜を形成する工程と、前記SOG膜の前記ホール開口領域を前記素子領域又は前記電極配線が露出するまで異方的に前記絶縁膜をエッチバックしてホールパターン形成工程とを、順に施すことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (3)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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