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J-GLOBAL ID：200903038918323301

半導体ウエハー

Inventor： 福井 徹 ,  栗田 英樹
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 小越 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998037978
Publication number (International publication number)：1999224836
Application date： Feb. 05, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハーの表裏面の判別を容易ならしめると共にエピタキシャル成長膜の形状や純度を向上、安定化させる。【解決手段】 両面鏡面研磨仕上げした半導体ウエハー、特に矩形のウエハーであって、ウエハーの裏面のみの外周部の一部または全部に面取り加工を施し、該ウエハーの表面には面取り加工部を設けないようにした半導体ウエハー。

Claim (excerpt)：

両面鏡面仕上げした半導体ウエハーであって、該ウエハーの裏面のみの外周部の一部または全部に面取り部を備えていることを特徴とする半導体ウエハー。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 601

FI (2)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 601 B