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J-GLOBAL ID:200903038929550725

共振器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 頓宮 孝一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993101916
Publication number (International publication number):1995296992
Application date: Apr. 05, 1993
Publication date: Nov. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】ソース効率及びプラズマ密度を高めること。【構成】半導体ウエハを効率よく処理するためにプラズマ密度を高める最適化されたヘリカル共振器10は低インダクタンス、従つて低Qによつて特徴付けられる。第1の実施例は分布容量又は集中容量のいずれかを用いることによりωL値を約 200〔Ω〕以下に低下させる。第2の実施例は低ωL値を有しかつ共振するフラツト螺旋型コイルを 1/4ウエーブ共振器又は 1/2ウエーブ共振器として用いる。第3の実施例は螺旋型コイル及びソレノイド型コイルの両方をヘリカル共振器として用いて第1の実施例及び第2の実施例の特徴を組み合わせる。
Claim (excerpt):
プラズマ処理システムのための共振器において、ウオールを有し、プラズマで処理すべき表面を有する少なくとも1つのワークピースを上記ウオールの内側に含むように適合されたプラズマ反応室と、プラズマ支援ガスを上記プラズマ反応室に供給するガス放電管と、上記プラズマ反応室の上記ウオールに近接し、上記プラズマ反応室内にプラズマを保持する磁場を発生させる、約 400以下の低Qを有する高周波ヘリカルコイルと、上記高周波ヘリカルコイルに隣接し、上記高周波ヘリカルコイルの少なくとも一端に接続される接地シールドと、上記高周波ヘリカルコイルの第1のタツプに接続することにより上記高周波ヘリカルコイルに高周波電力を供給する高周波電源と、上記高周波ヘリカルコイルの第2のタツプ及び上記接地シールド間に接続することにより上記高周波ヘリカルコイルを含む構造の共振を調整する可変コンデンサとを具えることを特徴とする共振器。
IPC (5):
H05H 1/46 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01P 7/00

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