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J-GLOBAL ID：200903038931681306

半導体集積回路内部相互配線の検査装置

Inventor： 中村 豊一 ,  花釜 康子 ,  二川 清
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237082
Publication number (International publication number)：1995092237
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路の内部相互配線の欠陥を短時間で非破壊検出する。【構成】 半導体集積回路チップ1に電源供給源9で電流を供給した状態で、半導体集積回路チップ1上に細く絞ったレーザ光を任意の配線上に共焦点機構を用いて焦点を合わせた後、このレーザ光を走査しながら照射し、変動電流検出/増幅部8で電流変化の大きな箇所は熱伝導を阻止する欠陥のある箇所に対応するので、ボイド等の欠陥が検出出来る。このような原理によるので、欠陥は表面に露出していない場合でも検出できる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の内部配線に電流を供給する手段と半導体集積回路にレーザビームを走査しながら照射するレーザビーム照射手段と、内部相互配線に流れる電流変化を検知し、前記内部相互配線の欠陥を検出する手段を備えた半導体集積回路内部相互配線の検査装置においてレーザビーム光学系が共焦点型であることを特徴とする半導体集積回路内部相互配線の検査装置。

IPC (4)：

G01R 31/302 ,  G01N 25/72 ,  G01R 31/02 ,  H01L 21/66