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J-GLOBAL ID：200903038935871371

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 葛原 正明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997306100
Publication number (International publication number)：1999145157
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ドレイン破壊耐圧が高く、高いドレイン電圧を印加することにより大きな出力電力を得ることができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 n型チャネル層3上にゲート電極6及びドレイン電極7が形成されている。更にn型チャネル層3のゲート電極6とドレイン電極7との間に位置する領域の一部には、深さが100nmの溝状のくぼみが形成されており、このくぼみ中にn型埋込み領域8が形成されている。n型埋込み領域8は、n型チャネル層3を構成する半導体材料よりも大きな禁制帯幅を有する半導体材料、例えばSiが2×1017(cm-3)添加されAlを25原子%含有するAlGaAs又はGaを51原子%含有するInGaPからなる。

Claim (excerpt)：

第1の半導体材料からなるチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたゲート電極及びドレイン電極とを有する電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記チャネル層内に、禁制帯幅が前記第1の半導体材料のものよりも大きい第2の半導体材料からなるn型埋込み領域を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-115781
  
• 特開昭64-061067