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J-GLOBAL ID：200903038945053421

半導体装置

Inventor： 川原 孝昭 ,  鳥居 和功 ,  北島 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
Agent (3)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003294264
Publication number (International publication number)：2005064317
Application date： Aug. 18, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】 ゲート電極との反応を抑制し、また、ゲート電極からの不純物の拡散を抑制することのできる、シリコン酸化膜換算膜厚の小さいゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に形成されたゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6の上に形成されたゲート電極7とを有する半導体装置において、ゲート絶縁膜6が第1の絶縁膜9と、第1の絶縁膜9の上に形成された第2の絶縁膜10と、第2の絶縁膜10の上に形成された金属窒化膜11とからなる。金属窒化膜11は、AlN膜およびHf3N4膜のいずれか一方とすることができる。また、金属窒化膜11は、2以上の金属の窒化物からなる膜とすることもできる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、 前記ゲート絶縁膜は第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜の上に形成された金属窒化膜とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H01L21/316

FI (2)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M

F-Term (41)：

5F058BA01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF62 ,  5F058BF67 ,  5F058BF75 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG20 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08