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J-GLOBAL ID：200903038945443602

結晶生産方法

Inventor： 川原 健児 ,  三村 征己 ,  野村 祐介
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 押田 良久 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998096703
Publication number (International publication number)：1999269000
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 無理な操作や坩堝の繰り返し使用を行わずとも、製品採取における歩留りを大幅に向上させることができる結晶生産方法を提供する。【解決手段】 狙い品種の単結晶製品を製造するべく、複数の引き上げ炉で単結晶の育成を行う。各炉で育成される単結晶の軸方向の品質分布を、過去の操業実績から推定する。推定された品質分布に基づいて、狙い品種の製品を採取する。受注した他の製品の品質使用、量及び優先順位に基づいて、残った部分から他の品種の製品を採取する。

Claim (excerpt)：

CZ法により単結晶を育成すると共に、育成される単結晶の軸方向の品質分布を過去の操業実績から推定し、推定された品質分布、受注した製品の品質仕様、量及び優先順位に基づいて、前記単結晶を複数品種の製品に振り分けることを特徴とする結晶生産方法。

IPC (2)：

C30B 35/00 ,  C30B 15/00

FI (2)：

C30B 35/00 ,  C30B 15/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 結晶中酸素濃度の制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-214939   Applicant：住友金属工業株式会社, 住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶引き上げ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-138048   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-287862   Applicant：信越半導体株式会社