Pat
J-GLOBAL ID:200903038949664727

磁界検出センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994130571
Publication number (International publication number):1995333304
Application date: Jun. 13, 1994
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】 信号出力、SN比、感度および信号検出精度が高く、部品構成が簡単な磁界検出センサを提供する。【構成】 一対の電極を両端に有する検出導体の表面に、直接あるいは非磁性絶縁体を介して、少なくとも一つの磁性体が配設され、前記電極には伝送線路が接続され、該伝送線路は反射特性測定器に接続されてなり、前記磁性体の透磁率が外部磁界に応じて変化する時、前記電極端での反射係数が変化することに基づいて前記外部磁界が検出される。
Claim (excerpt):
一対の電極を両端に有する検出導体の表面に、直接あるいは非磁性絶縁体を介して、少なくとも一つの磁性体が配設され、前記電極には伝送線路が接続され、該伝送線路は反射特性測定器に接続されてなり、前記磁性体の透磁率が外部磁界に応じて変化する時、前記電極端での反射係数が変化することに基づいて前記外部磁界が検出されることを特徴とする磁界検出センサ。
IPC (2):
G01R 33/02 ,  H01L 43/08

Return to Previous Page