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J-GLOBAL ID：200903038955031752

化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置

Inventor： 井上 浩伸 ,  山西 斉 ,  横山 政秀 ,  根上 卓之 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998065201
Publication number (International publication number)：1999260724
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 III族としてInおよびGaを含むI-III-VI族化合物半導体薄膜を、組成制御性に優れ、膜欠陥が少ない状態で成膜できる方法および装置を提供する。【解決手段】 Cuターゲット31、CuとGaとからなるターゲット32、およびInターゲット33を含むスパッタリングターゲットからI族元素およびIII族元素を供給し、SeおよびSから選ばれる少なくとも1つからなる蒸着源34からVI族元素を供給することにより、化合物半導体薄膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

I族元素、III族元素およびVI族元素からなり、前記III族元素としてInおよびGaを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、Cuターゲット、Inターゲット、およびCuとGaとからなるターゲットを含むスパッタリングターゲットから前記I族元素および前記III族元素を供給し、SeおよびSから選ばれる少なくとも1つからなる蒸着源から前記VI族元素を供給することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (6)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/24 E ,  C23C 14/24 Z ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 Z ,  H01L 31/04 E