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J-GLOBAL ID：200903038956737616

光ピックアップ

Inventor： 松原 彰 ,  村上 豊 ,  柴田 泰匡 ,  林 卓生 ,  島村 徹郎 ,  浦入 賢一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046736
Publication number (International publication number)：1993250714
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明はCDや光ディスク等の情報再生装置に用いる光ピックアップに関するもので、形状の大きい難点を解決し、小型の光ピックアップを提供することを目的とする。【構成】 反射ミラー12と受光素子13の間に50μm以上の半導体ギャップ14を設けることにより、受光素子13の出力信号のS/Nを劣化させることなく、半導体レーザー1と受光素子13を半導体レーザー1の光の出射光軸に添って同一の半導体基板11上に形成することができ、半導体を包み込むためのパッケージが1つで済み、光ピックアップを小型にすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板の一部に実装された発光素子と、この発光素子からの出射光を光ディスクに集光する対物レンズと、この光ディスクにより反射し前記対物レンズへ再入射した光を受光する前記半導体基板上に形成された発光素子と、前記発光素子の光の出射する方向に添い前記発光素子及び前記受光素子との中間に位置し前記発光素子の出射光を前記半導体基板の面外に反射出射する前記半導体基板上に形成された反射ミラーと、前記発光素子の光の出射する方向に向かって、前記反射ミラー及び前記受光素子との中間に位置し前記発光素子の光の出射する方向に向い50μm以上の幅となる前記半導体基板にて形成される半導体ギャップからなる光ピックアップ。

IPC (2)：

G11B 7/125 ,  G11B 7/135

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-093241
  
• 特開平1-260645
  
• 特開平4-061635
  
• 特開平1-120082
  
• 特開昭64-027286
  
• 光学式情報再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020243   Applicant：シャープ株式会社