Pat

J-GLOBAL ID：200903038962691326

半導体光分散補償器

Inventor： 井戸 立身 ,  佐野 博久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993006419
Publication number (International publication number)：1994216467
Application date： Jan. 19, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 分散補償波長、分散補償強度を調整できる光分散補償器を提供し、これを光伝送システムに適応することにより伝送システムの長距離化、大容量化をはかる。【構成】 回折格子を打刻した半導体基板1上に、異なる半導体を積層し、エッチングすることにより作製した回折格子付き半導体光導波路に光信号を入射し、反射もしくは透過させることによって分散補償を行う。該光導波路に取り付けた電極5,6によって光導波路に電界印加やキャリア注入を行うことができ、これによって分散補償波長や分散補償強度を調整できる。【効果】 分散補償波長や分散補償強度が電気的に調整可能な光分散補償器を提供することができ、これを光伝送システムに適応することにより伝送システムの伝送距離、伝送容量を飛躍的に増大できる。

Claim (excerpt)：

回折格子を打刻した半導体基板上に屈折率の異なる半導体を2種類以上積層し、該半導体層の一部又は全層を所定幅にエッチングすることにより作製した回折格子付き半導体光導波路に、光信号を入射して、反射、もしくは透過させることを特徴とする光分散補償器。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12 ,  H04B 10/16 ,  H04B 10/18

FI (2)：

H04B 9/00 J ,  H04B 9/00 M