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J-GLOBAL ID：200903038965966415

有機半導体装置及び液晶表示装置

Inventor： 石原 慎吾 ,  若木 政利 ,  安藤 正彦 ,  鬼沢 賢一 ,  石田 美奈
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999264964
Publication number (International publication number)：2001094107
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い移動度の有機薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極/ドレイン電極、及び保護膜の順に形成される有機半導体装置において、前記ゲート絶縁層表面の純水における接触角が50度以上120度以下であることを特徴とする有機半導体装置。【効果】本発明を用いれば、ペンタセン蒸着膜の結晶状態を制御でき、高い移動度を有する有機薄膜トランジスタが可能となる。

Claim (excerpt)：

基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極/ドレイン電極、及び保護膜の順に形成される有機半導体装置において、前記ゲート絶縁層表面の純水における接触角が50度以上120度以下であることを特徴とする有機半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 21/312 N ,  H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 617 V

F-Term (63)：

2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092KB24 ,  2H092MA22 ,  2H092NA21 ,  5F058AB07 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH10 ,  5F103AA01 ,  5F103BB02 ,  5F103DD25 ,  5F103GG02 ,  5F103HH01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP01 ,  5F103PP12 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE36 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG11 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM18