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J-GLOBAL ID:200903038965966415

有機半導体装置及び液晶表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999264964
Publication number (International publication number):2001094107
Application date: Sep. 20, 1999
Publication date: Apr. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】高い移動度の有機薄膜トランジスタを提供すること。【解決手段】基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極/ドレイン電極、及び保護膜の順に形成される有機半導体装置において、前記ゲート絶縁層表面の純水における接触角が50度以上120度以下であることを特徴とする有機半導体装置。【効果】本発明を用いれば、ペンタセン蒸着膜の結晶状態を制御でき、高い移動度を有する有機薄膜トランジスタが可能となる。
Claim (excerpt):
基板の表面に、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極/ドレイン電極、及び保護膜の順に形成される有機半導体装置において、前記ゲート絶縁層表面の純水における接触角が50度以上120度以下であることを特徴とする有機半導体装置。
IPC (6):
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00 ,  H01L 21/336
FI (6):
H01L 21/203 Z ,  H01L 21/312 N ,  H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 617 V
F-Term (63):
2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB57 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092KB24 ,  2H092MA22 ,  2H092NA21 ,  5F058AB07 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH10 ,  5F103AA01 ,  5F103BB02 ,  5F103DD25 ,  5F103GG02 ,  5F103HH01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP01 ,  5F103PP12 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE36 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG11 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM18

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