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J-GLOBAL ID：200903038967486429

プラズマ処理装置

Inventor： 稲葉 宏 ,  小角 雄一 ,  藤巻 成彦 ,  鬼頭 諒
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992097646
Publication number (International publication number)：1993295552
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】真空槽内でのプラズマ漏洩を防止すると共に、高速プラズマ処理を可能とするプラズマ処理装置を実現する。【構成】プラズマを発生させるために電圧印加装置7から電圧を印加する電極で真空槽を構成し、電極真空槽1とする。真空槽内には従来のようにア-スシ-ルドを設けない構成とする。【効果】バイアス電圧値を律速する浮遊電気容量を最小限度として、バイアス電圧の増加を可能としディスク基板2上への高速成膜を可能とすると共に、真空槽内のプラズマの漏洩をなくす。

Claim (excerpt)：

真空容器と、真空容器中の圧力を大気圧より低い状態に保持する排気手段と、真空容器中にプラズマを発生させるための電極と、電極に電圧を印加するための電圧供給手段と、プラズマ発生部にガス状物質を供給する手段とを具備して成るプラズマ処理装置において、前記真空容器を、プラズマが生成される空間を取り囲み得る形状の真空槽とすると共に、これを接地せずに電圧供給手段に接続して前記プラズマを発生させる電極とする電極真空槽で構成して成り、前記真空容器内の接地部材を基板とその取り付け部材で構成して成るプラズマ処理装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  G11B 5/84 ,  G11B 7/26