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J-GLOBAL ID：200903038969053511

ポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポリイミド系樹脂膜パターンの製造法

Inventor： 瀧澤 寿夫 ,  山岸 智明
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102654
Publication number (International publication number)：1995311469
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ポリイミド系樹脂のパターニングの際に生ずるレジスト剥離残りを除去するためのレジスト剥離残り除去液およびこの除去液を用いたポリイミド系樹脂膜パターンの製造法を提供する。【構成】 エーテル化合物またはスルホン化合物を含むポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液およびポジレジストをマスク材にしてポリイミド系樹脂膜をエッチング加工後、ポジレジストを有機系溶剤によって剥離する際に生じるレジスト剥離残りをこのレジスト剥離残り除去液によって除去するポリイミド系樹脂膜パターンの製造法。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】(ただし、R1およびR2は水素または炭素数1〜6のアルキル基でR1およびR2は同じでもよく、nは1〜3の整数である)で示されるエーテル化合物の少なくとも一つを主成分として含むポリイミド系樹脂膜のレジスト剥離残り除去液。

IPC (6)：

G03F 7/42 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/34 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308