Pat

J-GLOBAL ID：200903038973636599

電子源装置

Inventor： 杉山 芳弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991175037
Publication number (International publication number)：1993128999
Application date： Jul. 16, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は電子源装置に関し、半導体で構成され電子を発生する陰極に相当する部分に電子のエネルギを揃える機能をもたせ、自由空間に出射された電子にエネルギ分布がないようにすることを目的とする。【構成】 n+ -GaAs基板21上に形成されたRTB層23と、そのRTB層23上に積層形成され電子の共鳴準位からみて電子親和力を負にする為のCs層25及びCs2 O層26とを備えた陰極部分をもつよう構成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に形成され化合物半導体ヘテロ構造をなす共鳴トンネリング・バリヤ層と、該共鳴トンネリング・バリヤ層上に積層形成され電子の共鳴準位からみて電子親和力を負にする為のCs層及びCs2 O層とを備えた陰極部分を含んでなることを特徴とする電子源装置。

IPC (3)：

H01J 49/08 ,  H01J 27/02 ,  H01L 21/027