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J-GLOBAL ID：200903038975806483

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 塩谷 喜美 ,  西本 裕子 ,  前田 和夫 ,  鈴木 智美 ,  猪鹿倉 博志
Applicant, Patent owner： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001247936
Publication number (International publication number)：2003059923
Application date： Aug. 17, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 バリア絶縁膜34aは、シリコン、酸素、窒素及び水素を含むか、或いはシリコン、酸素、窒素、水素及び炭素を含む第1のバリア絶縁膜34aaと、シリコン、酸素及び水素を含むか、或いはシリコン、酸素、水素及び炭素を含む第2のバリア絶縁膜34abとから少なくとも構成される2層以上の積層構造を有する。

Claim (excerpt)：

基板上の銅膜或いは銅膜を主とする配線を被覆するバリア絶縁膜を有する半導体装置において、前記バリア絶縁膜は、シリコン、酸素、窒素及び水素を含むか、或いはシリコン、酸素、窒素、水素及び炭素を含む第1のバリア絶縁膜と、シリコン、酸素及び水素を含むか、或いはシリコン、酸素、水素及び炭素を含む第2のバリア絶縁膜とから少なくとも構成される2層以上の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 A

F-Term (44)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR23 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033VV12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BA05 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD16 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁膜とその製造方法、および半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-024526   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-142104   Applicant：ソニー株式会社
• 特許第3545364号