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J-GLOBAL ID：200903038976515130
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995185284
Publication number (International publication number)：1996051256
Application date： Oct. 03, 1984
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ワイヤボンディングのための電極領域を失なうことなく、素子の静電容量の低下を図り、超高速度調に適した半導体レーザを提供する。【構成】 半導体結晶14の主面側には、活性領域11を励起するための電極層の幅を活性領域幅の15倍以下に抑えた上部電極12を設け、上部電極12からリードを取出すためのリード電極16と、ワイヤボンディング専用の領域となるボンディングパッド17を設け、リードワイヤ15をボンディングしている。さらに、半導体結晶11の主面側に部分的に設けられた絶縁膜層20上に、リード電極16とボンディングパッド17が設けられている。【効果】 主面側に設けられた電極による静電容量を、従来の数分の1に低減することができる。
Claim (excerpt)：
活性領域を含む半導体結晶と、上記半導体結晶の主面側の上記活性領域に対応した位置に設けられた上記活性領域幅以上で上記活性領域幅の15倍以下の範囲の寸法幅を有するオーミック電極と、上記オーミック電極に給電するために上記半導体結晶の主面側に設けられたリード電極と、上記リード電極に接続された上記半導体結晶の主面側に設けられた外部接続用のリードワイヤを接続するためのボンディングパッドと、上記リード電極及びボンディングパッドの少なくとも一方と上記半導体結晶の主面側との間に設けられた絶縁膜層とを有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
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