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J-GLOBAL ID：200903038979588405

パターン形成方法及びパターン形成装置

Inventor： 榎本 隆 ,  林 専一 ,  島宗 正幸 ,  村田 辰雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 近島 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180948
Publication number (International publication number)：1995140669
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】2層のパターンを重ねて形成する場合に、熱的な変化に伴うピッチずれを防止する。【構成】フォトマスク3の熱膨張係数と、基板4の熱膨張係数とをほぼ等しくする。これにより、1回目の露光から2回目の露光まで基板4及びフォトマスク3が熱膨張した場合でも、基板4及びフォトマスク3の相対的な寸法はあまり変化しない。

Claim (excerpt)：

基板上に塗布したフォトレジストに、フォトマスクを介してパターン露光を行い、所定のパターンを形成するパターン形成方法において、基板の熱膨張係数とフォトマスクの熱膨張係数とがほぼ等しく、それらの熱膨張係数の差が20×10-7/deg以下である、ことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/20 ,  H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-289118
  
• 特開昭62-169330
  
• 特開昭63-169330