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J-GLOBAL ID：200903038979931363

半導体素子の保護回路ならびにこれを有する半導体装置

Inventor： 坂本 光造 ,  吉田 功 ,  森川 正敏 ,  大高 成雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999175055
Publication number (International publication number)：2000101080
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高速スイッチング用高入力インピーダンスを有する過熱保護または過電流保護内蔵パワーMOSFETを提供すること。【解決手段】 第1のスイッチング素子M0の入力端子4と駆動回路10の間に第2のスイッチング素子M7を設け、入力端子4に第3のスイッチング素子M5を設け、第1の素子M0の温度または電流検出回路12を設け、温度または電流検出回路12により、第3の素子M5をオン、第2の素子M7をオフまたは高インピーダンスとする。【効果】 第1の素子M0が過熱または過電流の状態になると制御回路11により、第2の素子M7がオフ、第3の素子M5がオンとなり、第1の素子M0の入力端子4が外部端子2から遮断される。この時の保護動作時の第2の素子M7の低電流が第3の素子M5によりバイパスされ、第1の素子M0を高速に遮断できる。

Claim (excerpt)：

パワーMOSFETのドレイン領域を形成する第1導電型半導体基板に保護回路が内蔵された半導体装置において、上記保護回路は上記第1導電型と第2導電型のMOSFETを具備し、上記保護回路の上記第2導電型のMOSFETを形成する上記第1導電型のウエルは絶縁層を介して上記第1導電型基板内に形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H03K 17/08

FI (7)：

H01L 29/78 652 R ,  H01L 27/08 331 A ,  H03K 17/08 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 623 Z ,  H01L 29/78 656 E ,  H01L 29/78 657 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-100469
  
• 特開昭64-004058