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J-GLOBAL ID：200903038982073637

ダイアモンドのエッチング方法

Inventor： 富川 唯司 ,  鹿田 真一
Applicant, Patent owner： 財団法人地球環境産業技術研究機構 ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992205271
Publication number (International publication number)：1994049669
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 清浄なエッチング方法を提供する。【構成】 まず、表面がダイアモンドの基板上に所定のパターンで金属層を形成する。この層はダイアモンドを固溶し得るもの(例えば、鉄、コバルト、ニッケルのうち少なくとも一つを含むもの、合金など)を用いる(図2(a))。つぎに、加熱処理を行う。加熱を行うことによって基板表面のダイアモンドと金属層の界面からダイアモンド表面の炭素原子が金属層に固溶して行く。固溶した炭素原子は、金属層中を拡散し、金属層の反対側(気相側)の表面に析出する。この炭素原子の固溶,拡散,析出の一連の反応が進み、基板表面のダイアモンドがエッチングされて行く(図2(b))。所定の時間加熱してエッチングした後、金属層を溶解などにより除去してエッチングを完了する(図2(c))。

Claim (excerpt)：

表面のダイアモンドをエッチングする部分に、ダイアモンド中の炭素を固溶する層を形成し、加熱をした後、前記層を除去することを特徴とするダイアモンドのエッチング方法。

IPC (3)：

C23F 4/00 ,  C23F 1/00 101 ,  H01L 21/302