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J-GLOBAL ID：200903038993458077

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 雅幸
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992187939
Publication number (International publication number)：1994037067
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 マイクロローディング効果および基板ダメージの抑制を図る。【構成】 冷却装置1は、冷却されたヘリウムガスをウエハ3と下部電極4との間に供給して下部電極4を-60°Cに冷却してウエハ3を冷却する。上部電極7と下部電極4との間に高周波を印加してプラズマエッチングを実施する。こうして、下部電極4の温度を-60°Cに維持してプラズマエッチングを実施することによって、エッチングガスとしてフロロカーボン系ガスを用いた際におけるマイクロローディング効果および基板ダメージを抑制する。

Claim (excerpt)：

ドライエッチングによって微小ホールを形成するドライエッチング工程を有する半導体の製造方法において、上記ドライエッチング工程を実施するに際して、ウエハ電極の温度を-60°C乃至-65°Cとしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-045526
  
• 特開昭63-115338
  
• 特開平4-061333
  
• 特開平4-029316