半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000078935
Publication number (International publication number)：2001267350
Application date： Mar. 21, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明はチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置及びその製造方法に関し、電気特性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】少なくとも信号用及びグランド用パッド25,26が設けられた半導体基板21と、この半導体基板21に立設された信号用及びグランド用突起電極22,23と、突起電極22と信号用パッド25とを電気的に接続する配線28Aと、半導体基板21及び突起電極22,23の側面を封止する封止樹脂24とを具備する半導体装置において、半導体基板21上の配線28Aをまたがる領域に、配線28Aと電気的に絶縁され、かつグランド用パッド26と電気的に接続された構成で金属膜29Aを形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも信号用及びグランド用パッドが設けられた半導体基板と、該半導体基板に立設された突起電極と、該突起電極と前記信号用パッドとを電気的に接続する複数の配線と、前記半導体基板及び前記突起電極の側面を封止する封止樹脂とを具備する半導体装置において、前記半導体基板上の複数の配線をまたがる領域に、前記複数の配線と電気的に絶縁され、かつ前記グランド用パッドと電気的に接続された構成で、一層以上の導電金属膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/60 , H01L 21/56 , H01L 21/3205 , H01L 23/12

FI (5)：

H01L 21/56 R , H01L 21/92 602 L , H01L 21/88 T , H01L 21/92 602 R , H01L 23/12 L

F-Term (17)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033MM05 , 5F033MM15 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033RR22 , 5F033SS21 , 5F033VV05 , 5F033VV07 , 5F033XX23 , 5F061AA01 , 5F061CA22 , 5F061FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-231373 Applicant：沖電気工業株式会社
ウエハ装置およびチップ装置並びにチップ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-233975 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-231894 Applicant：沖電気工業株式会社

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