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J-GLOBAL ID：200903039002640219
スチレン誘導体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265050
Publication number (International publication number)：2001151719
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Jun. 05, 2001
Summary：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で表されるスチレン誘導体。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基、クロロ原子、又はトリクロロメチル基を表す。R<SP>2</SP>はフェノールの保護基を表す。p,q,rはそれぞれ0≦p<5、0≦q<5、0<r<5の範囲の0又は自然数であり、かつ0<p+q<5を満足する。)【効果】 本発明のスチレン誘導体を重合することにより得られるポリマーを用いて調製したレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下特には170nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の化合物は、特にF<SB>2</SB>エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料のベースポリマーを得るための好適な原料となり得るもので、これを用いたレジスト材料は、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で表されるスチレン誘導体。【化1】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基、クロロ原子、又はトリクロロメチル基を表す。R<SP>2</SP>はフェノールの保護基を表す。p,q,rはそれぞれ0≦p<5、0≦q<5、0<r<5の範囲の0又は自然数であり、かつ0<p+q<5を満足する。)
IPC (10)：
C07C 43/225
, C07C 39/26
, C07C 69/63
, C07C 69/96
, C07D309/12
, C07F 7/18
, C08F 12/22
, C08F 12/34
, C08F 14/02
, C08F 14/18
C07C 43/225 C
, C07C 39/26
, C07C 69/63
, C07C 69/96 Z
, C07D309/12
, C07F 7/18 B
, C08F 12/22
, C08F 12/34
, C08F 14/02
, C08F 14/18
