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J-GLOBAL ID:200903039005767082

全自動2プラテン研磨装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000025883
Publication number (International publication number):2001217214
Application date: Feb. 03, 2000
Publication date: Aug. 10, 2001
Summary:
【要約】【課題】従来、比較的大径とした下方定盤と略同径の上部定盤との間にキャリア等を介して複数枚の半導体ウエハを挟圧させて同時に研磨加工を施しているが、極薄化、拡径化する半導体ウエハでは加工前後の定盤への着脱の際、或いは、加工中に破壊してしまうことが屡々あり、又、加工後の加工精度にバラツキが有り品質の均一化が計れない。【解決手段】送出側移送手段で移送させた半導体ウエハを取着するヘッドの位置のコラムの回動方向の直角位置のヘッドの位置へ第1の研磨手段を配設し、第1の研磨手段の上方に位置するヘッドの位置のコラムの回動方向の直角位置のヘッドの位置の下方へ第2の研磨手段を配設し、第2の研磨手段の上方に位置するヘッドの位置のコラムの回動方向の直角位置のヘッドの位置の近傍に洗浄用移送手段を配設し研磨加工後の半導体ウエハを取外す。
Claim (excerpt):
半導体ウエハに研磨加工を自動的に施すための研磨装置であって、基体と、該基台に配設した半導体ウエハを単品毎に送出移送する送出側移送手段と、該送出側移送手段で移送させた半導体ウエハを下面に取着するヘッドと、該ヘッドを下端に夫々備えた4組のスピンドル軸と、該4組のスピンドル軸を4方向に等間隔で回転及び昇降自在に担持させた前記基台に立設させた回動及び停止可能なコラムと、前記基台に立設させた第1の研磨手段と第2の研磨手段と、第1の研磨手段と第2の研磨手段とで研磨加工後の半導体ウエハを洗浄するための洗浄ユニットと、該洗浄ユニットで洗浄後の半導体ウエハを仮置きする仮置台と、研磨加工後の半導体ウエハをヘッドから取外し前記洗浄ユニット又は前記仮置台に移送させる洗浄用移送手段と、前記仮置台から半導体ウエハを単品毎に収納移送する収納側移送手段とを備え、前記送出側移送手段で移送させた半導体ウエハを下面に取着するヘッドの位置のコラムの回動方向の直角位置のヘッドの位置の下方へ第1の研磨手段を配設し、該第1の研磨手段の上方に位置するヘッドの位置のコラムの回動方向の直角位置のヘッドの位置の下方へ第2の研磨手段を配設し、該第2の研磨手段の上方に位置するヘッドの位置のコラムの回動方向の直角位置のヘッドの位置の近傍に洗浄用移送手段を配設し研磨加工後の半導体ウエハを取外すことを特徴とする全自動2プラテン研磨装置。
IPC (3):
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 648 ,  B24B 37/04
FI (3):
H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 648 A ,  B24B 37/04 Z
F-Term (12):
3C058AA07 ,  3C058AA18 ,  3C058AB01 ,  3C058AB03 ,  3C058AB08 ,  3C058AB09 ,  3C058AC01 ,  3C058BC01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17

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