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J-GLOBAL ID：200903039015012799

炭化ケイ素におけるパワーMOSFET

Inventor： パルモア,ジョン・ダブリュー
Applicant, Patent owner： クリー・リサーチ・インコーポレーテッド
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994513138
Publication number (International publication number)：1996505492
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】パワー金属酸化物半導体電界効果形トランジスタ(MOSFET)は、炭化ケイ素から形成された、ドルイン領域、チャンネル領域及びソース領域を有する。ドレイン領域は第1伝導形の炭化ケイ素基板と、同じ伝導形を有し、基板に隣接する炭化ケイ素のドルイン-ドリフト領域とを有する。チャンネル領域はドレイン-ドリフト領域に隣接し、ドレイン-ドリフト領域とは反対の伝導形を有する。ソース領域はチャンネル領域に隣接し、ドレイン-ドリフト領域と同じ伝導形を有する。このMOSFETはソース領域の第1部分、チャンネル領域の第1部分及びドレイン領域の第1部分上に形成されるゲート電極を含むゲート領域を有する。ソース電極はソース領域の第2部分及びチャンネル領域の第2部分上に形成される。また、ドレイン電極はドレイン領域の第2部分上に形成される。

Claim (excerpt)：

低オン抵抗と高温範囲とを有するパワー金属酸化物半導体電界効果形トランジスタ(MOSFET)であって、 炭化ケイ素基板と前記基板に隣接する炭化ケイ素のドレイン-ドリフト領域とを有する、炭化ケイ素のドレイン領域と; 前記ドレイン-ドリフト領域に隣接し、前記ドレイン-ドリフト領域とは反対の伝導形を有する、炭化ケイ素のチャンネル領域と; 前記チャンネル領域に隣接し、前記ドレイン-ドリフト領域と同じ伝導形を有する、炭化ケイ素のソース領域と; 前記チャンネル領域に隣接する絶縁層と; 前記絶縁層に隣接して形成されるゲート領域と; 前記ソース領域の第2部分に隣接して形成されるソース電極と; 前記ドレイン領域の第2部分に隣接して形成されるドレイン電極とを含むMOSFET。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-239778
  
• 特開平4-029368
  
• 特開昭55-156360