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J-GLOBAL ID：200903039030898590

プラズマ処理方法及び処理装置

Inventor： 佐々木 新治 ,  佐野 秀造 ,  大坪 徹 ,  西村 規正 ,  片岡 宏之 ,  稲葉 宏 ,  阿部 勝男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994142821
Publication number (International publication number)：1996013143
Application date： Jun. 24, 1994
Publication date： Jan. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】磁気ディスクのような基板の表裏両面への薄膜形成及びエッチング加工及び加熱等のプラズマ処理を行う際に、基板が導電体でない場合にも基板両面を同時に精度よくプラズマ処理できる方法とその装置を提供する。【構成】第1のターゲット電極5と第2のターゲット電極3との間に高周波電位を印加する回路を形成し、基板保持機構21が高周波回路との間で基板9との接触点以外では電気的に絶縁された状態であるようにする。第1のターゲット電極5は、コンデンサ35及び整合器13を介して高周波電源14に接続されている。二つのプラズマ10、8間に電位差(バイアス電位)が発生すると、基板の両面間の容量を介してバイアス電流が流れる。【効果】基板の表裏両面に高周波電界を発生させ、入射イオンを加速する。従来のように基板表面への電極の接触点での電流集中による膜の蒸発とそれに伴う異常放電や、バイアス印加不良が発生しない。

Claim (excerpt)：

真空容器内に載置された被処理基板の両面側にそれぞれプラズマを発生させて両面同時にプラズマ処理する方法であって、前記少なくとも一方のプラズマに高周波エネルギを与えてこれら両プラズマ間に電位差を生じせしめて、前記基板の表裏面間に高周波電流を流すようにして成るプラズマ処理方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85 ,  H05H 1/46