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J-GLOBAL ID：200903039036596197

粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ及びその製造方法

Inventor： 亀井 健
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996240458
Publication number (International publication number)：1998092684
Application date： Sep. 11, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高誘電率で特性のバラツキの小さい粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを提供する。【解決手段】 単位結晶粒子の定方向径のCV値が60%以下である粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。セラミックス粉末に焼結性改善剤を配合した原料を成形,焼成して半導体磁器素地を得、これに絶縁化剤を熱拡散させて粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを製造するに当り、焼結性改善剤として火炎加水分解法により得られたSiO2 及び/又はAl2 O3 粉体を用いる。

Claim (excerpt)：

磁器素地の単位結晶粒子の定方向径のCV値が60%以下であることを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ。

IPC (2)：

H01G 4/12 322 ,  H01G 4/12 325

FI (2)：

H01G 4/12 322 ,  H01G 4/12 325