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J-GLOBAL ID：200903039037121648

エレクトロマイグレーション耐性が向上し欠陥影響度が少ないサブクォーターミクロンの銅相互接続

Inventor： ハザラ・エス・ラソーア ,  ホルマズドヤール・エム・ダラール ,  ポール・エス・マクラフリン ,  デュ・ビー・グエン ,  リチャード・ジー・スミス ,  アレグザンダー・ジェイ・スウィントン ,  リチャード・エイ・ワクニク
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998143914
Publication number (International publication number)：1999045887
Application date： May. 26, 1998
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 向上したエレクトロマイグレーション耐性と腐食耐性とを備えるサブハーフミクロンの銅相互接続を設ける方法。【解決手段】 この方法は、シード層が化学的気相付着または物理的気相付着によって約800オングストローム未満の層に付着された、電気めっきされた銅を使用した二重ダマシンを含む。

Claim (excerpt)：

基板内の電気機構との接点を形成するために誘電絶縁によって互いに分離された銅線の多層相互接続を形成する方法であって、(a)画定されたパターン内に銅線を収容する誘電絶縁層を有する基板を設けるステップと、(b)前記パターン内に金属線を付着させるステップと、(c)化学的気相付着銅層を前記パターン内に付着させるステップと、(d)化学的気相付着銅層の上に異なるプロセスによって銅の層を付着させて前記パターンをほぼ充填するステップとを含む方法。

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-244126
  
• めっき法による配線金属膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264586   Applicant：松下電器産業株式会社
• 埋め込み導電層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224954   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭63-117446