Pat

J-GLOBAL ID：200903039048903346

半導体発光装置

Inventor： 田中 聖也
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998311498
Publication number (International publication number)：2000138398
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 隣接する島状半導体層の側壁部が逆メサ構造であることに起因して発光強度分布がバラつき、印画品質が劣化するという問題があった。【解決手段】 基板上に島状の一導電型半導体層を列状に複数設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電型半導体層の一端部側の一部が露出するように逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記複数の一導電型半導体層の隣接する領域部分が露出するように前記逆導電型半導体層を前記一導電型半導体層よりも幅狭に形成した。

Claim (excerpt)：

基板上に島状の一導電型半導体層を列状に複数設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電型半導体層の一端部側の一部が露出するように逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置において、前記複数の一導電型半導体層の隣接する領域部分が露出するように前記逆導電型半導体層を前記一導電型半導体層よりも幅狭に形成したことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/22

FI (2)：

H01L 33/00 L ,  H01S 3/18 662

F-Term (27)：

5F041AA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA85 ,  5F041CB25 ,  5F041FF13 ,  5F073AA55 ,  5F073AB05 ,  5F073BA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F073EA18