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J-GLOBAL ID：200903039051932284

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： チョイ ソン チョン
Applicant, Patent owner： 株式会社金星社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992188256
Publication number (International publication number)：1993198842
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 p型電極及びn型電極を全て表面上に形成し、外部量子効率を向上させるようにした発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【構成】 基板10の上面に第一クラッド層20と活性層30と第二クラッド層40とを順次形成し、次いで第一クラッド層20の周辺部分を露出させ、第二クラッド層の上面に第一の電極50を形成し、第一クラッド層の露出部分の上面に第二の電極60を形成して発光ダイオードを構成する。

Claim (excerpt)：

基板(10)と、該基板(10)上に順次形成された、二重ヘテロ接合構造エピタキシャル層を構成した第一クラッド層(20)、活性層(30)及び第二クラッド層(40)と、該第二クラッド層(40)の上面に形成した第一の電極(50)と、上記第一クラッド層(20)の周辺部分を露出させて該露出部分の上面に形成した第二の電極(60)と、により構成された発光ダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭48-064893