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J-GLOBAL ID：200903039055324858

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 榎本 裕之 ,  船津 圭亮
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995293855
Publication number (International publication number)：1997139423
Application date： Nov. 13, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高アスペクト比のコンタクトホール加工を容易に実現できる技術を提供する。【解決手段】 複数の半導体素子が形成されている半導体基板1の上に炭素を含んでいる有機SOG膜などの絶縁膜8を形成した後、絶縁膜8の表面に酸化シリコン膜などの絶縁膜9を形成する工程と、絶縁膜9の表面に選択エッチング用マスクパターンを有するフォトレジスト膜10を形成した後、絶縁膜9を選択エッチング技術を用いてコンタクトホール11を形成する工程と、絶縁膜9を選択エッチング用マスクとして使用して、絶縁膜8を選択エッチング技術を用いてコンタクトホール11を形成する工程とを有するものである。

Claim (excerpt)：

複数の半導体素子が設けられている基体の上の炭素を含んでいる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の表面に設けられていると共に炭素が含まれていない第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の表面に設けられている配線層とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (4)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/90 M