Pat
J-GLOBAL ID：200903039059071520
リードフレームの加工方法及びリードフレーム並びに半導体装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203513
Publication number (International publication number)：1996070073
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】リードフレームの加工方法において、レーザ加工後に変形を与えずに微細かつ高精度の形状を維持しながら、ドロスやスパッタを容易に除去することができるようにする。【構成】金属板1の両面に耐電解加工性のレジスト膜2を被覆しておき、レーザ光202を照射して金属板1を貫通する切断溝3をリードフレーム100の形状に従って形成する。続いてレーザ加工後の金属板1に電解加工を施し、組織の異なる金属板1の地金と加工変質層9の界面を選択的に腐食(孔食)する。これにより、従来から問題とされていたドロス5やスパッタ6だけでなく、再凝固層7や熱影響部8等を含む切断溝3側壁に形成された加工変質層9の全てが金属板1の地金から分離及び除去される。そして、最後にレジスト膜2を除去する。
Claim (excerpt)：
半導体チップを搭載すると共にその半導体チップの各端子と接続される多数のリードを有するリードフレームを金属板から形成する際に、前記リードフレームの少なくとも一部をレーザ光照射によって形成するリードフレームの加工方法において、前記金属板にレーザ光を照射して前記金属板を貫通する切断溝を形成する第1の工程と、前記第1の工程で前記切断溝側壁に形成されたドロスを含む加工変質層を電解加工によって前記金属板の地金から電気化学的に分離及び除去する第2の工程とを有することを特徴とするリードフレームの加工方法。
IPC (3)：
H01L 23/50
, B23K 26/00 320
, B23K 26/16
