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J-GLOBAL ID:200903039076967023
薄膜電界発光素子及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三澤 正義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991300407
Publication number (International publication number):1993135876
Application date: Nov. 15, 1991
Publication date: Jun. 01, 1993
Summary:
【要約】【目的】 輝度が高くて十分な発光効率が得られる薄膜電界発光素子及びその製造方法を提供するようにする。【構成】 フッ素を添加した非晶質炭素(a-C:H,F)薄膜17を発光層として用いる。この薄膜17は、炭化水素とフッ化炭素との混合ガス、又は炭化水素とフッ素との混合ガスを主たる原料として用い、グロー放電分解法により形成する。
Claim (excerpt):
フッ素が添加された非晶質炭素薄膜を発光層として用い、前記薄膜中のフッ素の濃度を、0.01乃至30atm%の範囲に設定したことを特徴とする薄膜電界発光素子。
IPC (3):
H05B 33/14
, C09K 11/00
, H01L 21/205
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