p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994250540
Publication number (International publication number)：1996115880
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MOVPE成長で発光素子のダブルヘテロ接合に用いることが可能な低抵抗のp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】窒素原料としてアンモニアを用いた気相成長法で、p型不純物であるMgをドープした窒化ガリウム系半導体を堆積した後、冷却時において600°C以上の温度域で冷却雰囲気をアンモニアから水素または窒素の混合雰囲気に切り替える。この方法によれば 600°C以上の温度域で冷却雰囲気を切り替えることによりアンモニアから供給される原子状水素の供給を回避できるので、水素パッシベーションが起きず低抵抗なp型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長冷却時に、400°C以上の温度で水素化物ガスを含む雰囲気から水素または窒素の雰囲気に切り替えることを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体のp型化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124889 Applicant：日亜化学工業株式会社
p型窒化ガリウムの成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042125 Applicant：日亜化学工業株式会社

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