Pat

J-GLOBAL ID：200903039084275254

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 名取 明生
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152373
Publication number (International publication number)：1993343424
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体基板の表面に、MOSFETを具備する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の低消費電力化や高速化等の高性能化および微細化、高集積化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】MOSFETのソース,ドレイン領域2表面上には、高融点金属とシリコンの化合物であるシリサイド膜5が形成されており、前記シリサイド膜5の一部が隣接する素子分離膜6上にも形成されている半導体装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に、MOSFETを具備する半導体装置において、少なくとも、前記MOSFETのソース,ドレイン領域表面上には、高融点金属とシリコンの化合物であるシリサイド膜が形成されており、前記ソース,ドレイン領域上のシリサイド膜の一部が、前記ソース,ドレイン領域に隣接する素子分離膜上にも形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90