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J-GLOBAL ID：200903039103156326

金属酸化物薄膜の形成方法及び金属酸化物薄膜の形成装置

Inventor： 下西 弘二
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002137318
Publication number (International publication number)：2003328133
Application date： May. 13, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 100°C以下の温度において金属酸化物薄膜の形成を行っても、膜収縮率の小さい品質管理が容易な優れた膜質の金属酸化物薄膜を得ることができ、養生が不要であり、生産コストを低減することができる金属酸化物薄膜の形成方法、及び、この金属酸化物薄膜の形成方法において用いられる金属酸化物薄膜の形成装置を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下、金属化合物が混合されたガス雰囲気中で、少なくとも一方の電極面が固体誘電体で被覆されている対向電極間に電界を印加して放電プラズマを発生させることにより、樹脂又はガラスからなる基材の表面に250°C以下、特徴的には100°C以下の温度で金属酸化物の薄膜を形成する方法であって、前記対向電極間に前記基材を配置することにより、又は、前記対向電極間でプラズマ化された金属酸化物を前記基材に吹き付けることにより薄膜を形成する金属酸化物薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

大気圧近傍の圧力下、金属化合物が混合されたガス雰囲気中で、少なくとも一方の電極面が固体誘電体で被覆されている対向電極間に電界を印加して放電プラズマを発生させることにより、樹脂又はガラスからなる基材の表面に250°C以下、特徴的には100°C以下の温度で金属酸化物の薄膜を形成する方法であって、前記対向電極間に前記基材を配置することにより、又は、前記対向電極間でプラズマ化された金属酸化物を前記基材に吹き付けることにより薄膜を形成することを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/42 ,  B01J 19/08 ,  C03C 17/245 ,  H05H 1/24

FI (4)：

C23C 16/42 ,  B01J 19/08 H ,  C03C 17/245 Z ,  H05H 1/24

F-Term (38)：

4G059AA01 ,  4G059AC00 ,  4G059EA05 ,  4G059EB01 ,  4G075AA24 ,  4G075AA61 ,  4G075AA65 ,  4G075BA01 ,  4G075BA06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA16 ,  4G075CA51 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB42 ,  4G075EC02 ,  4G075EC21 ,  4G075ED01 ,  4G075FB01 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA14 ,  4K030JA18