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J-GLOBAL ID：200903039104314669

半導体素子の量子点形成方法

Inventor： キ・バム・キム ,  テ・シック・ユン ,  ザン・ヨン・クオン
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998358389
Publication number (International publication number)：1999238869
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 単一電子トランジスタ素子として適用可能で且つ発光素子等の光学的応用が可能なように、数nm程度と大きさが小さく且つ比較的均一である量子点形成方法を提供すること【解決手段】 基板上に絶縁層を形成し、その絶縁層上に伝導層を形成した後、熱処理を行って伝導層を凝集させることを特徴とする半導体素子の量子点形成方法。

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁層を形成するステップと、絶縁層上に伝導層を形成するステップと、熱処理を行い、伝導層を凝集させるステップと、を備えることを特徴とする半導体素子の量子点形成方法。