半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福田賢三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001256973
Publication number (International publication number)：2003069012
Application date： Aug. 27, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】(11-20)面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高チャネル移動度を有するSiC半導体装置を製造することを目的とする。【解決手段】半導体領域は、(11-20)面の炭化珪素からなる領域が形成された半導体領域であり、また、ゲート絶縁膜は、ゲート酸化膜であり、さらに、該半導体領域の表面を清浄にする工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜を形成した後に、水素または水蒸気を含んだ雰囲気で熱処理することにより、上記のゲート酸化膜と上記の半導体領域の界面の界面準位密度を低減せしめる工程とを含むプロセスでSiC半導体装置を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、上記の半導体領域に電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、半導体領域は、(11-20)面の炭化珪素からなる領域が形成された半導体領域であり、さらに、該半導体領域の表面を清浄にする工程と、ゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜を形成した後に、H2(水素)あるいはH2O(水)を含んだ雰囲気で熱処理することにより、上記のゲート絶縁膜と上記の半導体領域の界面の界面準位密度を低減せしめる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G

F-Term (26)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF63 , 5F058BH02 , 5F058BH04 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140BA02 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BH21 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-310865 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-052396 Applicant：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構
炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-518224 Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド