Pat

J-GLOBAL ID：200903039108903383

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐次田 直也 ,  松浦 克好 ,  堀井 義正 ,  倉澤 正樹 ,  高井 一章
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002316894
Publication number (International publication number)：2004153031
Application date： Oct. 30, 2002
Publication date： May. 27, 2004
Summary：

【課題】キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、キャパシタ下部電極を構成する導電膜の膜質を改善して、キャパシタ下部電極の上に形成される誘電体膜の特性を良好にすること。【解決手段】半導体基板1の上方に絶縁膜10を形成する工程と、水素と窒素が結合した分子構造を有するガスのプラズマを励起して絶縁膜10に照射する工程と、絶縁膜10の上に自己配向性を有する物質からなる自己配向層11を形成する工程と、自己配向層11の上に自己配向性を有する導電物質からなる第1の導電膜12を形成する工程とを含む。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、 水素と窒素が結合した分子構造を有するガスのプラズマを励起して前記絶縁膜に照射する工程と、 前記絶縁膜の上に自己配向性を有する物質からなる自己配向層を形成する工程と、 前記自己配向層の上に自己配向性を有する導電物質からなる第1の導電膜を形成する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L27/105 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

FI (3)：

H01L27/10 444B ,  C23C16/40 ,  H01L27/10 621Z

F-Term (34)：

4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40