Pat
J-GLOBAL ID：200903039121091452
スパッタ処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203197
Publication number (International publication number)：1996067983
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 スパッタ処理方法に関し、連続製膜装置に適した方法を実用化することを目的とする。【構成】 真空排気が可能な装置内にターゲットが装着してあり、この装置内に順次に基板を供給し、装置内でターゲット上にプラズマを発生させて基板上にターゲット構成材料を析出させるスパッタ処理方法において、スパッタ処理の中断時間がターゲット表面の変質によってスパッタ膜質が設定条件よりも悪化する時間を超過した場合には、ターゲットの清浄化処理を行った後にスパッタ膜形成を行うことを特徴としてスパッタ処理方法を構成する。
Claim (excerpt)：
真空排気が可能な装置内にターゲットが装着してあり、前記装置内に順次に基板を供給し、前記装置内でターゲット上にプラズマを発生させて該基板上にターゲット構成材料を析出させるスパッタ処理方法において、前記スパッタ処理の中断時間がターゲット表面の変質によってスパッタ膜質が設定条件よりも悪化する時間を超過した場合には、ターゲットの清浄化処理を行った後にスパッタ膜形成を行うことを特徴とするスパッタ処理方法。
IPC (2)：
Return to Previous Page
