Pat
J-GLOBAL ID：200903039129712014
量子合成素子、THz電磁波発生素子、光変調素子ならびに電子波変調素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996333550
Publication number (International publication number)：1998050979
Application date： Dec. 13, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 任意の波形および任意の振動数を持つ電磁波を得ること、超高周波の電磁波を発生させること、可変周波数の電磁波を発生させること、超高速の光制御、光変調を行うことが可能な素子を実現する。【解決手段】 量子合成素子は、n個(nは3以上の整数)の量子井戸が、互いに量子力学的に結合するように近接して設けられた量子合成部を有し、前記n個の量子井戸のそれぞれが結合することによるn個以上の結合した準位を有し、予め定めた周波数(エネルギー)毎に位相および振幅が制御された符号化光によって、各準位の電子波または分極を位相・振幅制御しながら励起し、合成する。
Claim (excerpt)：
n個(nは3以上の整数)の量子井戸が、互いに量子力学的に結合するように近接して設けられた量子合成部を有し、前記n個の量子井戸のそれぞれが結合することによるn個以上の結合した準位を有し、予め定めた周波数毎に位相および振幅が制御された符号化光によって、各準位の電子波または分極を位相・振幅制御しながら励起し、合成することを特徴とする量子合成素子。
IPC (5)：
H01L 29/06
, G02F 1/35
, H01L 29/66
, H01S 3/18
, H01S 4/00
H01L 29/06
, G02F 1/35
, H01L 29/66
, H01S 3/18
, H01S 4/00
