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J-GLOBAL ID：200903039151475298

枚葉式エッチャーによるシリコン窒化膜のエッチング方法

Inventor： 森 松倫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049079
Publication number (International publication number)：1993251399
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体基板の枚葉式エッチャーにおいて、シリコン窒化膜と下地酸化膜との選択比を向上させ、かつエッチング均一性を向上させる。【構成】常圧以下の真空中にてSF6 とCHF3 と不活性ガス(例えばHe)を用いてプラズマを発生させシリコン窒化膜をエッチングする。

Claim (excerpt)：

パターンニングされたレジスト膜をマスクにし、SF6 ガスと不活性ガスとCHF3 ガスを使用して常圧以下の真空中でプラズマを発生させ、シリコン窒化膜を垂直にエッチングする事を特徴とする枚葉式エッチャーによるシリコン窒化膜のエッチング方法。