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J-GLOBAL ID：200903039152684290
圧電材料
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
穂上 照忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347071
Publication number (International publication number)：1994191941
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】低温焼成が可能でAg-Pd合金のような安価な電極材料と同時に焼成ができ、しかも大きな圧電定数をもつ圧電材料の提供。【構成】組成式 aPb(Mg<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>-bX-cPbTiO<SB>3</SB>-dPbZrO<SB>3</SB> で表される磁器組成物であって、Pbの 0.5〜10原子%がSr、Ba、Ca、La、Pr、Nd、CeおよびSmの中の少なくとも1種で置換されている磁器組成物に、それぞれ5原子%以下のZn、SnおよびBiの中の少なくとも1種と、単独または合計で5原子%以下のSiまたは/およびGeを含有していることを特徴とする圧電材料。ただし、上記組成式のXは、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Sb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Ta<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>およびPb(Ni<SB>1/2</SB>W<SB>1/2</SB>)O<SB>3</SB>、の中のいずれか1種、a、b、cおよびdはモル%で、下記の各式を満足する値である。10 <a+b≦55、 0.5 ≦b≦1030 ≦c≦50、 2.5 ≦d≦60a+b+c+d=100
Claim (excerpt)：
組成式 aPb(Mg<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>-bX-cPbTiO<SB>3</SB>-dPbZrO<SB>3</SB> で表される磁器組成物であって、Pbの 0.5〜10原子%がSr、Ba、Ca、La、Pr、Nd、CeおよびSmの中の少なくとも1種で置換されている磁器組成物に、それぞれ5原子%以下のZn、SnおよびBiの中の少なくとも1種と、単独または合計で5原子%以下のSiまたは/およびGeを含有していることを特徴とする圧電材料。ただし、上記組成式のXは、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>、 Pb(Ni<SB>1/3</SB>Sb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB> 、Pb(Ni<SB>1/3</SB>Ta<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB> および Pb(Ni<SB>1/2</SB>W<SB>1/2</SB>)O<SB>3</SB>、の中のいずれか1種、a、b、cおよびdはモル%で、下記の各式を満足する値である。10 <a+b≦55、 0.5 ≦b≦1030 ≦c≦50、 2.5 ≦d≦60a+b+c+d=100
IPC (2)：
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